IRL3705ZL |
RFQ for IRL3705ZL |
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| Technical/Catalog Information | IRL3705ZLPBF |
| Vendor | International Rectifier |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 52A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Package / Case | TO-262-3 (Straight Leads) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IRL3705ZLPBF IRL3705ZLPBF |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRL3705ZL | - | TO-262 | `06+(pb-free) |
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
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Parameter |
Max. |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID @ TC = 25°C | Continuous Drain Current, VGS @10V (Silicon Limited) |
86 |
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| ID @ TC = 100°C | Continuous Drain Current, VGS @10V |
61 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID @ TC = 25°C | Continuous Drain Current, VGS @10V (Silicon Limited) |
75 |
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| IDM | Pulsed Drain Current |
340 |
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| PD @TC = 25°C | Power Dissipation |
130 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Linear Derating Factor |
0.88 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS | Gate-to-Source Voltage |
±16 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS(Thermally limited) | Single Pulse Avalanche Energy |
120 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS (Tested ) | Single Pulse Avalanche Energy Tested Value |
180 |
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| IAR | Avalanche Current |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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